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VS-8EWF12STR-M3

VS-8EWF12STR-M3

Solo per riferimento

Numero parte VS-8EWF12STR-M3
PNEDA Part # VS-8EWF12STR-M3
Descrizione DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.516
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-8EWF12STR-M3 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-8EWF12STR-M3
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-8EWF12STR-M3, VS-8EWF12STR-M3 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 226,57 KB)
PDFVS-8EWS10STRRPBF Datasheet Copertura
VS-8EWS10STRRPBF Datasheet Pagina 2 VS-8EWS10STRRPBF Datasheet Pagina 3 VS-8EWS10STRRPBF Datasheet Pagina 4 VS-8EWS10STRRPBF Datasheet Pagina 5 VS-8EWS10STRRPBF Datasheet Pagina 6 VS-8EWS10STRRPBF Datasheet Pagina 7 VS-8EWS10STRRPBF Datasheet Pagina 8

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VS-8EWF12STR-M3 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 8A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)270ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreD-PAK (TO-252AA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Semtech

Produttore

Semtech Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

24000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

24V @ 6A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 24000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

CLS02(TE16L,HIT,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

0.55V @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

420pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

L-FLAT™

Pacchetto dispositivo fornitore

L-FLAT™ (4x5.5)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

VS-301URA180

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

330A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.46V @ 942A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AB, DO-9, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AB, DO-9

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 180°C

GP20BHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AA, DO-27, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

GP20

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

680mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

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