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VS-8ETH03-1-M3

VS-8ETH03-1-M3

Solo per riferimento

Numero parte VS-8ETH03-1-M3
PNEDA Part # VS-8ETH03-1-M3
Descrizione DIODE GEN PURP 300V 8A TO262AA
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 16.908
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-8ETH03-1-M3 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-8ETH03-1-M3
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-8ETH03-1-M3, VS-8ETH03-1-M3 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 204,59 KB)
PDFVS-8ETH03STRR-M3 Datasheet Copertura
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VS-8ETH03-1-M3 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieFRED Pt®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)300V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.25V @ 8A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr20µA @ 300V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262AA
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-215AB, SMC Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-215AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

VS-SD1100C32L

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

3200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

910A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.44V @ 1500A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

15mA @ 3200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AA, A-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

B-43, Hockey PUK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

EU01V

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

250mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 250mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

400ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

RS2BHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

JANTX1N4247

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/286

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

A, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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