VS-85HFL60S02M
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| Numero parte | VS-85HFL60S02M |
| PNEDA Part # | VS-85HFL60S02M |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 85A DO203AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.536 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-85HFL60S02M Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-85HFL60S02M |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-85HFL60S02M, VS-85HFL60S02M Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 200,08 KB)
  
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VS-85HFL60S02M Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 85A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 267A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 120ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB (DO-5) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/609 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 300mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 300mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 5ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia D, Axial Pacchetto dispositivo fornitore D-5D Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 560mV @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 10ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 15V Capacità @ Vr, F 6pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 2-UDFN Pacchetto dispositivo fornitore 2-ECSP1008 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 126A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2.5mA @ 300V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 200°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
