VS-85HF40M
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| Numero parte | VS-85HF40M |
| PNEDA Part # | VS-85HF40M |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.902 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-85HF40M Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-85HF40M |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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VS-85HF40M Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 85A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 267A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB (DO-5) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 180°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.8µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 50V Capacità @ Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 12A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -50°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 670mV @ 12A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 27.33ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 100V Capacità @ Vr, F 1124pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP®, TMBS® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 770mV @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2.1mA @ 60V Capacità @ Vr, F 3340pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore SlimDPAK Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.5V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia SOD-57, Axial Pacchetto dispositivo fornitore SOD-57 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
