VS-60EPF02-M3
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| Numero parte | VS-60EPF02-M3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | VS-60EPF02-M3 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC | ||||||||||||||||||
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.870 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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VS-60EPF02-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-60EPF02-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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VS-60EPF02-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 60A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 60A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 180ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC Modified |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 240A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.21V @ 240A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 6mA @ 150V Capacità @ Vr, F 6000pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 HALF-PAK Pacchetto dispositivo fornitore HALF-PAK Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
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Produttore SMC Diode Solutions Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 650mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 40V Capacità @ Vr, F 200pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 70A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 70A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-5 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C |
