VS-12CWQ10FNTRR-M3
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| Numero parte | VS-12CWQ10FNTRR-M3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | VS-12CWQ10FNTRR-M3 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK | ||||||||||||||||||
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.649 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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VS-12CWQ10FNTRR-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-12CWQ10FNTRR-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
VS-12CWQ10FNTRR-M3, VS-12CWQ10FNTRR-M3 Datasheet
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VS-12CWQ10FNTRR-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 6A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 12A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
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Produttore STMicroelectronics Serie - Configurazione diodi 1 Pair Series Connection Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 6A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 60µA @ 650V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Insulated |
