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VS-10ETS10STRL-M3

VS-10ETS10STRL-M3

Solo per riferimento

Numero parte VS-10ETS10STRL-M3
PNEDA Part # VS-10ETS10STRL-M3
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.740
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-10ETS10STRL-M3 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-10ETS10STRL-M3
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-10ETS10STRL-M3, VS-10ETS10STRL-M3 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 254,22 KB)
PDFVS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Copertura
VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 2 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 3 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 4 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 5 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 6 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 7 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 8 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 9 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 10 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 11

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VS-10ETS10STRL-M3 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 10A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr50µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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SS29

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

90V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 90V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

BAS 40 B5003

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

120mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 40mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

100ps

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N5404G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

RS1KLS RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1.2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

300ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123H

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123HE

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

PMEG2020EPK,315

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

450mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

900µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

120pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-XDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1608D-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

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