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VS-10ETS08STRR-M3

VS-10ETS08STRR-M3

Solo per riferimento

Numero parte VS-10ETS08STRR-M3
PNEDA Part # VS-10ETS08STRR-M3
Descrizione DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.860
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-10ETS08STRR-M3 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-10ETS08STRR-M3
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-10ETS08STRR-M3, VS-10ETS08STRR-M3 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 254,22 KB)
PDFVS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Copertura
VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 2 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 3 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 4 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 5 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 6 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 7 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 8 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 9 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 10 VS-10ETS08STRL-M3 Datasheet Pagina 11

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VS-10ETS08STRR-M3 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 10A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr50µA @ 800V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

I prodotti a cui potresti essere interessato

F1T1GHA1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

T-18, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

TS-1

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

HER601-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

R6, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

R-6

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

RS1GL RUG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

800mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 800mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N3174

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

1N5821US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, B

Pacchetto dispositivo fornitore

B, SQ-MELF

Temperatura di esercizio - Giunzione

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