VS-10ETS08STRR-M3
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| Numero parte | VS-10ETS08STRR-M3 |
| PNEDA Part # | VS-10ETS08STRR-M3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.860 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-10ETS08STRR-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-10ETS08STRR-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-10ETS08STRR-M3, VS-10ETS08STRR-M3 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 254,22 KB)
  
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VS-10ETS08STRR-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 800V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 800V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore TS-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 6A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia R6, Axial Pacchetto dispositivo fornitore R-6 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 800mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 800mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Powerex Inc. Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, B Pacchetto dispositivo fornitore B, SQ-MELF Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 125°C |
