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VQ1006P-2

VQ1006P-2

Solo per riferimento

Numero parte VQ1006P-2
PNEDA Part # VQ1006P-2
Descrizione MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VQ1006P-2 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVQ1006P-2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
VQ1006P-2, VQ1006P-2 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 61,05 KB)
PDFVQ1006P-E3 Datasheet Copertura
VQ1006P-E3 Datasheet Pagina 2 VQ1006P-E3 Datasheet Pagina 3 VQ1006P-E3 Datasheet Pagina 4 VQ1006P-E3 Datasheet Pagina 5

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VQ1006P-2 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FET4 N-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)90V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds60pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore14-DIP

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Produttore

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1542pF @ 25V

Potenza - Max

53W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 10V

Potenza - Max

7.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SC-70-6 Dual

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A, 12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A, 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V

Potenza - Max

1.74W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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