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VP3203N3-G

VP3203N3-G

Solo per riferimento

Numero parte VP3203N3-G
PNEDA Part # VP3203N3-G
Descrizione MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 21.132
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VP3203N3-G Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVP3203N3-G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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VP3203N3-G Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C650mA (Tj)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)740mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4780pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK1K9A60F,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 300V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220SIS

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

RJK0853DPB-00#J5

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6170pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

65W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

IPP051N15N5AKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™ 5

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.6V @ 264µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7800pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

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IRFB4615PBF

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

144W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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