VP2110K1-G
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| Numero parte | VP2110K1-G |
| PNEDA Part # | VP2110K1-G |
| Descrizione | MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3 |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 57.882 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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VP2110K1-G Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VP2110K1-G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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VP2110K1-G Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120mA (Tj) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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