VP0109N3-G
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Numero parte | VP0109N3-G |
PNEDA Part # | VP0109N3-G |
Descrizione | MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3 |
Produttore | Microchip Technology |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.752 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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VP0109N3-G Risorse
Brand | Microchip Technology |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | VP0109N3-G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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VP0109N3-G Specifiche
Produttore | Microchip Technology |
Serie | - |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 90V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Tj) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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