VN10KN3-G-P013
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| Numero parte | VN10KN3-G-P013 |
| PNEDA Part # | VN10KN3-G-P013 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.364 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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VN10KN3-G-P013 Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VN10KN3-G-P013 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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VN10KN3-G-P013 Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 310mA (Tj) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore P-TO251-3-1 Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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