VMO550-01F
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| Numero parte | VMO550-01F |
| PNEDA Part # | VMO550-01F |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.516 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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VMO550-01F Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VMO550-01F |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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VMO550-01F Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 590A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6V @ 110mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2000nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50000pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2200W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Y3-DCB |
| Pacchetto / Custodia | Y3-DCB |
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