VI10150S-M3/4W
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| Numero parte | VI10150S-M3/4W |
| PNEDA Part # | VI10150S-M3-4W |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-262AA |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.292 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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VI10150S-M3/4W Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VI10150S-M3/4W |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VI10150S-M3/4W, VI10150S-M3/4W Datasheet
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VI10150S-M3/4W Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262AA |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 150V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Powerex Inc. Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 2400V Corrente - Media Rettificata (Io) 2000A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 3000A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 200mA @ 2400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AD Pacchetto dispositivo fornitore Pow-R-Disc Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 22.5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 8A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 538pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
