VF20120SG-E3/4W
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| Numero parte | VF20120SG-E3/4W |
| PNEDA Part # | VF20120SG-E3-4W |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.862 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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VF20120SG-E3/4W Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VF20120SG-E3/4W |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VF20120SG-E3/4W, VF20120SG-E3/4W Datasheet
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VF20120SG-E3/4W Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | TMBS® |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 120V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 20A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 120V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 60A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 20µA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 780mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 150µA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 5A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione - |
