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VBH40-05B

VBH40-05B

Solo per riferimento

Numero parte VBH40-05B
PNEDA Part # VBH40-05B
Descrizione MOSFET 4N-CH 500V 40A V2
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.222
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VBH40-05B Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVBH40-05B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
VBH40-05B, VBH40-05B Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 87,32 KB)
PDFVBH40-05B Datasheet Copertura
VBH40-05B Datasheet Pagina 2 VBH40-05B Datasheet Pagina 3

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VBH40-05B Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFET™
Tipo FET4 N-Channel (H-Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs116mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs270nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaV2-PAK
Pacchetto dispositivo fornitoreV2-PAK

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A, 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 4.38mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5180pF @ 10V

Potenza - Max

1.7W, 2.5W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1310pF @ 15V

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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