VB20120S-E3/8W
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| Numero parte | VB20120S-E3/8W |
| PNEDA Part # | VB20120S-E3-8W |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.632 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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VB20120S-E3/8W Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VB20120S-E3/8W |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VB20120S-E3/8W, VB20120S-E3/8W Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 213,45 KB)
  
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VB20120S-E3/8W Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | TMBS® |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 120V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 20A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.12V @ 20A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 120V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 500V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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