V12P10-M3/86A
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| Numero parte | V12P10-M3/86A |
| PNEDA Part # | V12P10-M3-86A |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 241.398 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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V12P10-M3/86A Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | V12P10-M3/86A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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V12P10-M3/86A Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | eSMP®, TMBS® |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 12A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 12A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-277, 3-PowerDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie SBR® Tipo di diodo Super Barrier Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 10A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 380µA @ 45V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerDI™ 5 Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI™ 5 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
