US6K4TR
Solo per riferimento
| Numero parte | US6K4TR |
| PNEDA Part # | US6K4TR |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.192 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
US6K4TR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | US6K4TR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- US6K4TR Datasheet
- where to find US6K4TR
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor US6K4TR
- US6K4TR PDF Datasheet
- US6K4TR Stock
- US6K4TR Pinout
- Datasheet US6K4TR
- US6K4TR Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- US6K4TR Price
- US6K4TR Distributor
US6K4TR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-SMD, Flat Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TUMT6 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1240pF @ 10V Potenza - Max 800mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-8 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 246nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11200pF @ 25V Potenza - Max 694W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.6W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-XBGA, 4-FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore EFCP1818-4CC-037 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V, 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V Potenza - Max 4.3W (Ta), 33W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
