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UPA1950TE-T1-AT

UPA1950TE-T1-AT

Solo per riferimento

Numero parte UPA1950TE-T1-AT
PNEDA Part # UPA1950TE-T1-AT
Descrizione MOSFET P-CH SC-95
Produttore Renesas Electronics America
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Disponibile 7.956
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UPA1950TE-T1-AT Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUPA1950TE-T1-AT
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
UPA1950TE-T1-AT, UPA1950TE-T1-AT Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 198,2 KB)
PDFUPA1950TE-T1-AT Datasheet Copertura
UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 2 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 3 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 4 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 5 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 6 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 7 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 8 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 9 UPA1950TE-T1-AT Datasheet Pagina 10

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UPA1950TE-T1-AT Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 1.8V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.9nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 10V
Potenza - Max1.15W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-95
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-95

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 115mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 25V

Potenza - Max

250mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

419pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSOP-6-1

IRF6702M2DTR1PBF

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 15V

Potenza - Max

2.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

245pF @ 10V, 218pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

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