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UPA1764G-E2-AZ

UPA1764G-E2-AZ

Solo per riferimento

Numero parte UPA1764G-E2-AZ
PNEDA Part # UPA1764G-E2-AZ
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.222
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UPA1764G-E2-AZ Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUPA1764G-E2-AZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
UPA1764G-E2-AZ, UPA1764G-E2-AZ Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 200,41 KB)
PDFUPA1764G-E1-A Datasheet Copertura
UPA1764G-E1-A Datasheet Pagina 2 UPA1764G-E1-A Datasheet Pagina 3 UPA1764G-E1-A Datasheet Pagina 4 UPA1764G-E1-A Datasheet Pagina 5 UPA1764G-E1-A Datasheet Pagina 6 UPA1764G-E1-A Datasheet Pagina 7 UPA1764G-E1-A Datasheet Pagina 8 UPA1764G-E1-A Datasheet Pagina 9 UPA1764G-E1-A Datasheet Pagina 10

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UPA1764G-E2-AZ Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1300pF @ 10V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

ON Semiconductor

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A, 15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1324pF @ 15V

Potenza - Max

1.1W, 1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 11 Leads, Fused Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 800V

Potenza - Max

20mW

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

590mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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SIA511DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 6V

Potenza - Max

6.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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