UM6K31NTN
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| Numero parte | UM6K31NTN |
| PNEDA Part # | UM6K31NTN |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 272.772 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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UM6K31NTN Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UM6K31NTN |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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UM6K31NTN Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 250mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 25V |
| Potenza - Max | 150mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UMT6 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V Potenza - Max 2.6W (Ta), 23W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual |
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