UG10DCT-E3/45
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| Numero parte | UG10DCT-E3/45 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | UG10DCT-E3-45 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220AB | ||||||||||||||||||
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 3.746 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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UG10DCT-E3/45 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UG10DCT-E3/45 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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UG10DCT-E3/45 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 200A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia TO-244AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-244 |
