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TT8U2TR

TT8U2TR

Solo per riferimento

Numero parte TT8U2TR
PNEDA Part # TT8U2TR
Descrizione MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.068
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 27 - giu 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TT8U2TR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTT8U2TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
TT8U2TR, TT8U2TR Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 3.356,7 KB)
PDFTT8U2TCR Datasheet Copertura
TT8U2TCR Datasheet Pagina 2 TT8U2TCR Datasheet Pagina 3 TT8U2TCR Datasheet Pagina 4 TT8U2TCR Datasheet Pagina 5 TT8U2TCR Datasheet Pagina 6 TT8U2TCR Datasheet Pagina 7 TT8U2TCR Datasheet Pagina 8 TT8U2TCR Datasheet Pagina 9 TT8U2TCR Datasheet Pagina 10 TT8U2TCR Datasheet Pagina 11

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TT8U2TR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.4A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds850pF @ 10V
Funzione FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)1.25W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSST
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

57.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

74mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

138nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3020pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

480.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

TK31A60W,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

88mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 300V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220SIS

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

SIHB22N60E-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1920pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

227W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIA106DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20.5A (Ta), 140A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

224nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11135pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 333W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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