TSM6502CR RLG
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| Numero parte | TSM6502CR RLG |
| PNEDA Part # | TSM6502CR-RLG |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 20.616 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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TSM6502CR RLG Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TSM6502CR RLG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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TSM6502CR RLG Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc), 18A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V |
| Potenza - Max | 40W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDFN (5x6) |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 830mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
