TSM60NB1R4CH C5G
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| Numero parte | TSM60NB1R4CH C5G |
| PNEDA Part # | TSM60NB1R4CH-C5G |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251 |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 222.768 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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TSM60NB1R4CH C5G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TSM60NB1R4CH C5G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TSM60NB1R4CH C5G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 900mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.12nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 257.3pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 28.4W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 (IPAK) |
| Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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