TSM1NB60SCT B0
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Numero parte | TSM1NB60SCT B0 |
PNEDA Part # | TSM1NB60SCT-B0 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 500MA TO92 |
Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.024 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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TSM1NB60SCT B0 Risorse
Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | TSM1NB60SCT B0 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
TSM1NB60SCT B0, TSM1NB60SCT B0 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 694,91 KB)
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TSM1NB60SCT B0 Specifiche
Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 138pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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