TRS12N65D,S1F
Solo per riferimento
| Numero parte | TRS12N65D,S1F | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | TRS12N65D-S1F | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 250.213 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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TRS12N65D Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TRS12N65D,S1F |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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TRS12N65D Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 6A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 6A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 90µA @ 650V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi - Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
