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TPR1000A

TPR1000A

Solo per riferimento

Numero parte TPR1000A
PNEDA Part # TPR1000A
Descrizione RF TRANS 65V 1.09GHZ 55KV
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.274
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 3 - lug 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TPR1000A Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTPR1000A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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TPR1000A Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistor-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)65V
Frequenza - Transizione1.09GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno6dB
Potenza - Max2900W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 1A, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80A
Temperatura di esercizio200°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia55KV
Pacchetto dispositivo fornitore55KV

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

BFP740FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

42GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

27.5dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

TAN300

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.6dB

Potenza - Max

1166W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55KT

Pacchetto dispositivo fornitore

55KT

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

32mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 500µA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.5mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

SD1536-03

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.4dB

Potenza - Max

292W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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