TPN4R712MD,L1Q
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| Numero parte | TPN4R712MD,L1Q |
| PNEDA Part # | TPN4R712MD-L1Q |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 39.870 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 2 - lug 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPN4R712MD Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPN4R712MD,L1Q |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TPN4R712MD Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVI |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 18A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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