TPN1110ENH,L1Q
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| Numero parte | TPN1110ENH,L1Q |
| PNEDA Part # | TPN1110ENH-L1Q |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.616 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 30 - giu 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPN1110ENH Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPN1110ENH,L1Q |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TPN1110ENH Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114mOhm @ 3.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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