TPCF8B01(TE85L,F,M
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| Numero parte | TPCF8B01(TE85L,F,M |
| PNEDA Part # | TPCF8B01-TE85L-F-M |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.598 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPCF8B01(TE85L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPCF8B01(TE85L,F,M |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
TPCF8B01(TE85L, TPCF8B01(TE85L Datasheet
(Totale pagine: 4, Dimensioni: 71,88 KB)
  
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TPCF8B01(TE85L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIII |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 10V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 330mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VS-8 (2.9x1.5) |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
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