TP0606N3-G-P002
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| Numero parte | TP0606N3-G-P002 |
| PNEDA Part # | TP0606N3-G-P002 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.808 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 28 - lug 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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TP0606N3-G-P002 Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TP0606N3-G-P002 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
TP0606N3-G-P002, TP0606N3-G-P002 Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 606,76 KB)
  
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TP0606N3-G-P002 Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 320mA (Tj) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 750mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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