TK39J60W,S1VQ
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Numero parte | TK39J60W,S1VQ |
PNEDA Part # | TK39J60W-S1VQ |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P |
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.058 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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TK39J60W Risorse
Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | TK39J60W,S1VQ |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TK39J60W Specifiche
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | DTMOSIV |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38.8A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 19.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.9mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
Funzione FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 270W (Tc) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(N) |
Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
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