TK22E10N1,S1X
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Numero parte | TK22E10N1,S1X |
PNEDA Part # | TK22E10N1-S1X |
Descrizione | MOSFET N CH 100V 52A TO220 |
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.442 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TK22E10N1 Risorse
Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | TK22E10N1,S1X |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TK22E10N1 Specifiche
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | U-MOSVIII-H |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 50V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 72W (Tc) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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