TK14E65W,S1X
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| Numero parte | TK14E65W,S1X |
| PNEDA Part # | TK14E65W-S1X |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.678 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TK14E65W Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TK14E65W,S1X |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TK14E65W Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | DTMOSIV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.7A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 6.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 690µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 300V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
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