TK12E80W,S1X
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Numero parte | TK12E80W,S1X |
PNEDA Part # | TK12E80W-S1X |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220 |
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 9.324 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TK12E80W Risorse
Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | TK12E80W,S1X |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TK12E80W Specifiche
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | DTMOSIV |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 570µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 300V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 165W (Tc) |
Temperatura di esercizio | 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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