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THGBMHG9C8LBAU8

THGBMHG9C8LBAU8

Solo per riferimento

Numero parte THGBMHG9C8LBAU8
PNEDA Part # THGBMHG9C8LBAU8
Descrizione 64GB NAND 15NM EMBEDDED MULTIMED
Produttore Toshiba Memory America, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.646
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

THGBMHG9C8LBAU8 Risorse

Brand Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTHGBMHG9C8LBAU8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
THGBMHG9C8LBAU8, THGBMHG9C8LBAU8 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 310,64 KB)
PDFTHGBMHT0C8LBAIG Datasheet Copertura
THGBMHT0C8LBAIG Datasheet Pagina 2

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THGBMHG9C8LBAU8 Specifiche

ProduttoreToshiba Memory America, Inc.
Seriee•MMC™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND (MLC)
Dimensione della memoria64Gb (8G x 8)
Interfaccia di memoriaeMMC
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia153-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore153-WFBGA (11.5x13)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

7014S15J8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

36Kb (4K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

52-PLCC (19.13x19.13)

MT40A512M8RH-075E AIT:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.33GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (9x10.5)

CY7C057V-12AXCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

1.152Mb (32K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

144-TQFP (20x20)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

3.5µs

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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