TH58NYG3S0HBAI6
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Numero parte | TH58NYG3S0HBAI6 |
PNEDA Part # | TH58NYG3S0HBAI6 |
Descrizione | IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA |
Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.528 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TH58NYG3S0HBAI6 Risorse
Brand | Toshiba Memory America, Inc. |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | TH58NYG3S0HBAI6 |
Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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TH58NYG3S0HBAI6 Specifiche
Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
Serie | - |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Frequenza di clock | - |
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 67-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 67-VFBGA (6.5x8) |
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