TF414T5G
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| Numero parte | TF414T5G |
| PNEDA Part # | TF414T5G |
| Descrizione | IC JFET N-CH 40V XDFN3 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 378.096 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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TF414T5G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TF414T5G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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TF414T5G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 40V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 50µA @ 10V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | 1mA |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 4V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 0.7pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 100mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-101, SOT-883 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 25mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 15V (VGS) Resistenza - RDS (On) 60 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 20V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 150mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 30 Ohms Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
