TDTC114E,LM
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| Numero parte | TDTC114E,LM |
| PNEDA Part # | TDTC114E-LM |
| Descrizione | X34 PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 25.866 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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TDTC114E Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TDTC114E,LM |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
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TDTC114E Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | * |
| Tipo di transistor | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Resistenza - Base (R1) | - |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor PNP - Pre-Biased + Diode Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Resistenza - Base (R1) 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 39 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione 200MHz Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SMT3 |
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