TC7920K6-G
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| Numero parte | TC7920K6-G |
| PNEDA Part # | TC7920K6-G |
| Descrizione | MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.860 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TC7920K6-G Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TC7920K6-G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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TC7920K6-G Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 52pF @ 25V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 12-VFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 12-DFN (4x4) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57.4nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2607pF @ 10V Potenza - Max 2.14W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore W-DFN5020-6 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-6 |
Produttore Infineon Technologies Serie SIPMOS® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore PG-DSO-8 |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
