TC58CVG1S3HRAIG
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| Numero parte | TC58CVG1S3HRAIG |
| PNEDA Part # | TC58CVG1S3HRAIG |
| Descrizione | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V |
| Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.724 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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TC58CVG1S3HRAIG Risorse
| Brand | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TC58CVG1S3HRAIG |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
TC58CVG1S3HRAIG, TC58CVG1S3HRAIG Datasheet
(Totale pagine: 1, Dimensioni: 94,43 KB)
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TC58CVG1S3HRAIG Specifiche
| Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 104MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x8) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EPROM Tecnologia EPROM - OTP Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-TSOP |
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