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TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Solo per riferimento

Numero parte TC58CVG0S3HRAIG
PNEDA Part # TC58CVG0S3HRAIG
Descrizione IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON
Produttore Toshiba Memory America, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 13.695
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TC58CVG0S3HRAIG Risorse

Brand Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTC58CVG0S3HRAIG
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
TC58CVG0S3HRAIG, TC58CVG0S3HRAIG Datasheet (Totale pagine: 42, Dimensioni: 1.679,35 KB)
PDFTC58CVG0S3HQAIE Datasheet Copertura
TC58CVG0S3HQAIE Datasheet Pagina 2 TC58CVG0S3HQAIE Datasheet Pagina 3 TC58CVG0S3HQAIE Datasheet Pagina 4 TC58CVG0S3HQAIE Datasheet Pagina 5 TC58CVG0S3HQAIE Datasheet Pagina 6 TC58CVG0S3HQAIE Datasheet Pagina 7 TC58CVG0S3HQAIE Datasheet Pagina 8 TC58CVG0S3HQAIE Datasheet Pagina 9 TC58CVG0S3HQAIE Datasheet Pagina 10 TC58CVG0S3HQAIE Datasheet Pagina 11

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TC58CVG0S3HRAIG Specifiche

ProduttoreToshiba Memory America, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso155µs
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WSON (6x8)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Dual I/O

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AS4C32M32MD1-5BCNTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

1Gb (32M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-FBGA (8x13)

SST25VF010A-33-4C-SAE-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST25

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IS42S32200L-6B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

AT25640-10PI-2.7

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

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