TC58BVG2S0HBAI4
Solo per riferimento
| Numero parte | TC58BVG2S0HBAI4 |
| PNEDA Part # | TC58BVG2S0HBAI4 |
| Descrizione | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA |
| Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.080 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TC58BVG2S0HBAI4 Risorse
| Brand | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | TC58BVG2S0HBAI4 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- TC58BVG2S0HBAI4 Datasheet
- where to find TC58BVG2S0HBAI4
- Toshiba Memory America, Inc.
- Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG2S0HBAI4
- TC58BVG2S0HBAI4 PDF Datasheet
- TC58BVG2S0HBAI4 Stock
- TC58BVG2S0HBAI4 Pinout
- Datasheet TC58BVG2S0HBAI4
- TC58BVG2S0HBAI4 Supplier
- Toshiba Memory America, Inc. Distributor
- TC58BVG2S0HBAI4 Price
- TC58BVG2S0HBAI4 Distributor
TC58BVG2S0HBAI4 Specifiche
| Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | Benand™ |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 25ns |
| Tempo di accesso | 25ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 63-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 63-TFBGA (9x11) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 18Mb (256K x 72) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 7.5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 209-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 209-LFBGA (14x22) |
Produttore Microchip Technology Serie SST39 MPF™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10µs Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-TFBGA |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 2Mb (128K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ns Tempo di accesso 10ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 44-LQFP (10x10) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 7ns Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio -20°C ~ 75°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 54-VFBGA (8x8) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 63-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 63-VFBGA (9x11) |
