SUD35N10-26P-GE3
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| Numero parte | SUD35N10-26P-GE3 |
| PNEDA Part # | SUD35N10-26P-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 18.822 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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SUD35N10-26P-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SUD35N10-26P-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SUD35N10-26P-GE3, SUD35N10-26P-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 181,01 KB)
  
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SUD35N10-26P-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 12V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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