SUD35N05-26L-E3
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| Numero parte | SUD35N05-26L-E3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | SUD35N05-26L-E3 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 35A TO252 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 36.405 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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SUD35N05-26L-E3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SUD35N05-26L-E3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SUD35N05-26L-E3, SUD35N05-26L-E3 Datasheet
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SUD35N05-26L-E3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 885pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 7.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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