STW9NK95Z
Solo per riferimento
| Numero parte | STW9NK95Z |
| PNEDA Part # | STW9NK95Z |
| Descrizione | MOSFET N-CH 950V 7A TO-247 |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.678 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STW9NK95Z Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | STW9NK95Z |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- STW9NK95Z Datasheet
- where to find STW9NK95Z
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STW9NK95Z
- STW9NK95Z PDF Datasheet
- STW9NK95Z Stock
- STW9NK95Z Pinout
- Datasheet STW9NK95Z
- STW9NK95Z Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STW9NK95Z Price
- STW9NK95Z Distributor
STW9NK95Z Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | SuperMESH™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 950V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.38Ohm @ 3.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2256pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 160W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 5.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 131nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2780pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 92W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PF Pacchetto / Custodia TO-3P-3 Full Pack |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 41A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.1nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 939pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3L Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.8nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 584pF @ 100V Funzione FET Super Junction Dissipazione di potenza (max) 98W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
