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STW88N65M5-4

STW88N65M5-4

Solo per riferimento

Numero parte STW88N65M5-4
PNEDA Part # STW88N65M5-4
Descrizione MOSFET N-CH 650V 84A
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.500
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 2 - giu 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STW88N65M5-4 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTW88N65M5-4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STW88N65M5-4, STW88N65M5-4 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 705,86 KB)
PDFSTW88N65M5-4 Datasheet Copertura
STW88N65M5-4 Datasheet Pagina 2 STW88N65M5-4 Datasheet Pagina 3 STW88N65M5-4 Datasheet Pagina 4 STW88N65M5-4 Datasheet Pagina 5 STW88N65M5-4 Datasheet Pagina 6 STW88N65M5-4 Datasheet Pagina 7 STW88N65M5-4 Datasheet Pagina 8 STW88N65M5-4 Datasheet Pagina 9 STW88N65M5-4 Datasheet Pagina 10 STW88N65M5-4 Datasheet Pagina 11

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STW88N65M5-4 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ M5
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C84A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs204nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8825pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)450W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-4L
Pacchetto / CustodiaTO-247-4

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

480V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

380nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9890pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

APT28F60S

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5575pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

520W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D3Pak

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

SISS32DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17.4A (Ta), 63A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1930pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8S

IRF840AS

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1018pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

74A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

77mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9900pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1400W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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